Енергоефективна електроніка на старті: створено перспективний матеріал

Відкриття вчених США, зроблене нещодавно, дозволило перетворити нітрид галію — напівпровідник, який революційно змінив виробництво світлодіодів — на матеріал, який робить електроніку незрівнянно більш енергоефективною, ніж зараз. Кремній, що використовується сьогодні у виробництві напівпровідників, застосовується не в чистому, а в легованому вигляді: до нього додають фосфор чи бор. Тепер їх місце займе нітрид галію, що має ширшу заборонену зону (бандгап), що робить напівпровідники стійкими до великих напруг і частот, забезпечуючи ефективніший енергоперенесення. Речовина це у світі науки недарма звуть квантовим колодязем. Будучи поміщеним поверх шару нітриду алюмінію, воно становить йому структурний контраст, розривність якого породжує потужний потік електронних дірок, що переносять струм вдесятеро краще ніж раніше. Створені на цій основі транзистори p-типу в поєднанні з транзисторами n-типу відкривають широкий простір для високоенергетичної комутації та мобільних 5G-технологій, що раніше науці недоступний.